高纯度铝板®用于半导体材料和超导体

188体育线上alumplate公司提供了一种替代物理气相沉积(PVD)的金属化工艺,用于99.99%纯铝的应用。

  • 纯电镀铝在-271°C (1.75 K)下成为超导体,用于量子计算系统。
  • 铝电镀是晶硅和非晶硅及硅基集成电路的理想选择,需要厚的纯铝涂层。
  • 铝金属化是集成电路线键合的一种新方法。

用于量子计算机的纯铝电沉积

纯铝是硅和硅基电路的首选涂层,因为它的高导电性和通过干蚀刻的可加工性。虽然标准的计算机制造技术在未来几年还会有一席之地,但今天的制造过程正接近小型化的极限。纯铝是一种多功能材料,可用于适应新的制造挑战。

量子计算架构是取代传统芯片设计的最有前途的替代方案之一。量子计算机材料必须没有电阻(超导性),以防止导致退相干和破坏量子信息的能量耗散。因此,量子计算需要一种新的硬件制造方法和新的制造材料。

188体育线上铝板公司为标准和拓扑量子计算机电路提供高纯铝涂层。这种涂层被归为I型超导体,因为它的电阻在极低的温度下变化,确切地说-271°C(1.75°K)。在这样的低温下,我们的铝表现出超导性,成为量子计算应用的理想材料。188bet滚球平台

电镀生产高纯铝

铝电镀可用于99.99%纯铝金属化布线。电镀过程自动化,坚固,可重复。铝电沉积是一种较好的替代金属化技术,如蒸发,溅射,物理气相沉积和化学气相沉积(CVD)。

铝电镀工艺的结果是高纯度,密集和均匀的铝,从1到1000微米!

纯度- 99.99%纯铝

厚度-每小时10-15微米的快速沉积速度,可沉积从1微米到1000微米的薄或厚层。

报道-镀铝是高度均匀的,由于优越的投掷和覆盖能力相对于视线工艺。

附着力-铝电镀很容易经受ASTM对纯硅、掺杂硅、铜和金的粘附性的破坏测试。

扩散-铝电镀工艺温度最高为103°C,减少硅扩散到铝中,200 - 250°C是一个值得关注的问题。

镀铝&线键合工艺参数

金(Au),铜(Cu),铝(Al)和银(Ag)是热压缩和热超声键合电线到不同衬垫材料的首选元素。铜因其经济优势而受到特别关注,最近铜球结合到集成电路金属化方面取得了重大进展。

金属化和线材形成了不同的冶金线材粘结体系,具有独特的物理性能和行为特征。铝-铝体系(Al-Al)具有良好的耐金属间化合物形成和腐蚀性能,具有非常可靠的性能。

镀铝可方便铜线用于线粘接。在铜线粘接到铝垫上之前,可以在铜线上涂一层电镀铝。

半导体行业前景

数字经济推动了对微电子设备的需求。新兴市场对这些器件的增长和采用依赖于用于制造集成电路的新材料和新工艺的持续发展。

由于铝的高导电性和通过干蚀刻的加工性能,它是芯片上各种器件之间互连的首选材料。

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