半导体制造设备的保护涂层

Semifab工艺设备(蚀刻和沉积)的污染和更长的寿命较长

阳极氧化属性Al 6061 vs Al Plating

> 99.99%的纯电镀铝铝铝提供了优质的腐蚀保护,污染减少,废料减少,维护成本降低和延长使用寿命。

高纯度是致密的,没有空隙和缺陷。它可以均匀地沉积在任何厚度上,以作为半导体制造设备和太阳能制造组件的理想保护涂层。

  • 99.99%的Al涂层没有空隙和合金元素,具有极低的污染物。
  • 薄且致密的Al涂层可防止AL 6061和其他材料中痕量元件的扩散,并在腔室加工环境中缓解污染。
  • 实现关键半导体蚀刻和沉积过程组件的更高性能和更长的寿命,从而使有效的迁移减少了集成电路特征大小。
  • 在前所未有的水平上提供铝等离子体氧化涂料保护,具有很高的耐腐蚀性和介电强度。击穿电压超过2,000伏,每0.001英寸氧化铝涂料层的厚度。
  • 解锁半导体制造设备的标准和下一代阳极氧化的全部性能。
  • 通过应用高纯度铝涂层的应用,可以改变任何结构基材的表面,从而有助于使用最高性能和最高价值材料。

独立的实验室测试结果包括我们的白皮书中在干蚀刻和工艺室环境中,高纯度电镀铝涂层,用于关键组件

(PDF)

扩散的致密且难以穿透的元素屏障

痕量元素和杂质比AL合金中的数量级低(如下表所示)。一个密集的无效结构是在高达450°C的温度下底物污染物和腐蚀产物扩散的不透水障碍。

痕量元素和杂质的表

可以立即保护未保护的成分免受半导体蚀刻和沉积周期期间使用的侵袭性气体和酸。Pure Al通过同时阻碍底物的腐蚀,并呈现出高温元素扩散的物理障碍,从而防止铜和锌污染。

任何纯铝的任何材料上的阳极阳极表面

电镀铝有助于使用具有吸引人特性的非传统材料。到目前为止,这些材料与最终用途环境的兼容性有限排除了它们在半导体环境中的使用。

具体而言,耐腐蚀的纯AL合金不具有结构应用所需的机械性能。188bet滚球平台对于定制合金,他们在较长的交货时间内采购它们可能很困难和昂贵。即使有空,在组件制造过程中也可能需要专门的技术,对收益,成本和线索时间产生负面影响。

通过用> 99.99%的纯铝进行电镀,材料和设计工程师可以利用相关的散装材料特性(强度,导热率,CTE,CTE,刚度,可加工性等)并增强使用寿命。

烟气属性 Alumiplate®Al Al 6061
耐腐蚀性HCl气泡试验(HRS) > 100 5
故障电压(v/mil) > 2000 1000
锌含量(ppm) <0.5 180
结构 最佳 空白和缺陷
微值(VHN) 325-575 300-500
  • 阳极氧化的电镀铝显着优于阳极氧化AL 6061,具有改善的耐腐蚀性,纯度和二电强度。
  • 提供更纯净的氧化铝涂料层比阳极氧化的AL 6061,污染物的水平较低。
  • 可以根据所需的阳极氧化厚度(标准类型I,II,III或高性能草本和混合酸)来调整和控制AL板。
  • 不限于AL合金,促进了Fe和Ni基合金,SST,铜,石墨或任何其他材料的使用。

联系我们为了开始延长半导体制造设备的寿命,减少污染,减轻污染物扩散,增加产量,并降低半空中的维护成本,显示和太阳能制造和太阳能制造,并具有电镀层的高纯度铝铝铝铝。

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